基于GaAs晶体管2.45 GHz大功率微波整流电路
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国家自然科学基金资助项目(61271074);国家“863”高技术资助项目(2012AA120605)

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A large power 2.45 GHz microwave rectifier based on GaAs transistor
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    摘要:

    针对基于GaAs晶体管的大功率微波整流电路,设计了一种应用于大功率微波无线输能系统的整流电路。该大功率微波整流电路基于微带结构,工作频率为2.45 GHz,具有质量轻,整流输出功率大的特点。在不同微波输入功率和负载下进行测量,发现当输入微波功率为 30 dBm,负载为38 Ω时,整流电路获得了测量过程中最大整流效率的41%;当输入微波功率为 34 dBm,负载为23 Ω时整流电路得到测量过程中获得的最高直流功率输出28.7 dBm。通过完善和改进电路,可以进一步提高整流的效率,并应用于高功质比的微波整流天线。

    Abstract:

    A microwave GaAs transistor rectifier at 2.45 GHz based on microstrip lines is presented in this paper. The GaAs transistor has enhanced the rectifier power capacitance greatly. The proposed rectifier bears a power to weight ratio much higher than conventional rectifiers based on Schottky diodes. The measured results show that the rectifier achieves 41% of its highest rectifying efficiency when the input microwave power reaches 30 dBm and the DC load is 38 Ω;the rectifier reaches its highest DC output power 28.7 dBm with an input microwave power at 34 dBm and a DC load of 23 Ω. The GaAs transistor rectifiers will be applied to microwave power transmission systems with strict power to weight ratio requirements. The rectifiers may own higher conversion efficiency with improved circuit design and can be applied to high power to weight rectennas.

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引用本文

叶力群,郁成阳,张 彪,刘长军.基于GaAs晶体管2.45 GHz大功率微波整流电路[J].太赫兹科学与电子信息学报,2013,11(4):591~594

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  • 收稿日期:2012-12-27
  • 最后修改日期:2013-03-08
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  • 在线发布日期: 2013-08-29
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