宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料，展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进，传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题，难以满足新型半导体器件的技术需求。宽禁带半导体凭借其独特的材料优势，在新能源汽车电控系统、轨道交通牵引变流器、5G基站射频模块等关键领域展现出不可替代的作用。深入开展宽禁带半导体材料、器件及应用的创新研究，不仅对于解决传统半导体技术低效能和低集成度等问题具有重要科学意义和实用价值，还将进一步推动电力电子、汽车电子、通信以及新能源等领域的技术革新与产业升级。

为此，本刊设立了《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏，邀请了多位在宽禁带半导体领域深耕的专家担任编委，组织征稿，旨在报道该领域最新的研究成果，实现领域内最新进展的互通互享，促进我国宽禁带半导体研究的进一步发展。本专栏吸引了众多研究人员的关注和参与，经过稿件征集、同行评审，最终精选出多篇原创性论文予以荟集成刊，供读者阅览。本次专栏的内容覆盖面广，既包含硅基晶闸管、GaN HEMT以及SiC MOSFET等功率器件方面的创新工作，也囊括了SiC高压脉冲产生电路、GaN HEMT动态导通电阻测试电路和GaAs数控延时器电路等方面的最新成果，充分展示了宽禁带半导体器件与电路领域的研究动态。在此，我们对关心并支持本专栏出版的各位领导、组稿专家学者，以及积极参与本专栏征文工作的各位作者致以诚挚问候和衷心感谢！

本期专栏主编：郭宇锋，唐为华，陈万军，刘斯扬

专栏主编简介：
郭宇锋，南京邮电大学党委书记，教授，博士生导师，兼任中国电子学会教育工作委员会副主任委员、中国电子学会电路与系统分会委员。主要从事硅、宽禁带半导体及有机功率与射频集成等研究工作。主持国家级、省部级等项目20余项，授权国际专利、国家发明专利70余件，发表学术论文330余篇，入选国家“XX计划”、江苏省“333工程”培养人选、江苏省“青蓝工程”中青年学术带头人、江苏省“六大人才高峰”培养对象，获中国电子学会科技进步一等奖、中国产学研合作促进奖等省部级及以上奖项或荣誉20项。