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宽禁带半导体展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性，在新能源汽车电控系统、轨道交通牵引变流器、5G基站射频模块等关键领域展现出不可替代的作用。深入开展宽禁带半导体材料、器件及应用研究，不仅对解决传统半导体技术低效能和低集成度等问题具有重要科学意义和实用价值，还将进一步推动电力电子、汽车电子、通信以及新能源等领域的技术革新与产业升级。

本次专栏的内容覆盖面广，既包含硅基晶闸管、GaN HEMT以及SiC MOSFET等功率器件方面的创新工作，也囊括了SiC高压脉冲产生电路、GaN HEMT动态导通电阻测试电路和GaAs数控延时器电路等方面的最新成果，充分展示了宽禁带半导体器件与电路领域的研究动态。

专栏邀请了多位在宽禁带半导体领域深耕的专家担任编委及组稿专家，旨在报道该领域最新的研究成果，促进我国宽禁带半导体研究的进一步发展。在此，我们对关心并支持本专栏出版的各位领导、组稿专家学者，以及积极参与本专栏征文工作的各位作者致以诚挚问候和衷心感谢！

专栏主编：郭宇锋，唐为华，陈万军，刘斯扬           

1. 集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗

孙佳萌，付浩，魏家行，刘斯扬，孙伟锋

东南大学 集成电路学院/国家ASIC工程中心

2025,23(4):309-316

2. GaN HEMT器件动态导通电阻的测试电路

刘梦丽，李胜，马岩锋，刘斯扬，孙伟锋

东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心

2025,23(4):317-321

3. 国产6英寸SiC基GaN HEMT研制

孔欣，汪昌思

中国电子科技集团 第二十九研究所

2025,23(4):322-330

4. 基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究

杨早，陈万军，陈资文

电子科技大学 集成电路科学与工程学院

2025,23(4):331-339

5. 高精确度大比特位延时器芯片研制

陈月盈，刘帅，杨柳，赵子润

中国电子科技集团 第十三研究所

2025,23(4):340-345

6. 一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管

孙新淇，杨禹霄，邓时雨，陈资文，刘超，孙瑞泽，陈万军

电子科技大学 集成电路科学与工程学院

2025,23(4):346-352

本期专栏主编：

郭宇锋，南京邮电大学党委书记，教授，博士生导师，兼任中国电子学会教育工作委员会副主任委员、中国电子学会电路与系统分会委员。主要从事硅、宽禁带半导体及有机功率与射频集成等研究工作。主持国家级、省部级等项目20余项，授权国际专利、国家发明专利70余件，发表学术论文330余篇，入选国家“XX计划”、江苏省“333工程”培养人选、江苏省“青蓝工程”中青年学术带头人、江苏省“六大人才高峰”培养对象，获中国电子学会科技进步一等奖、中国产学研合作促进奖等省部级及以上奖项或荣誉20项。

唐为华，南京邮电大学教授，博士生导师。在氧化镓及相关方向发表SCI论文300余篇，引用13500多次，H因子58，氧化镓薄膜与探测器相关论文国际排名第一；申请授权发明专利30余项；主持国家自然科学基金等各类科研项目20多项，是“新世纪百千万人才工程“国家级人选、中国科学院“XX计划“专家，曾获北京市科学技术一等奖和北京市自然科学二等奖。多篇论文获选ESI高被引论文，连续两年被国际著名出版机构ELSEVIER评为高被引论文学者(2021，2022 )。

陈万军，电子科技大学教授，博士生导师，集成电路科学与工程学院副院长。长期致力于新型功率半导体器件与集成技术领域的科学研究和人才培养工作，主持承担国家科技重大专项、国家自然科学基金、预研重点、瓶颈攻关等国家级/省部级和横向课题40余项；在《IEEE EDL》《IEEE TED》《IEEE TPE》等国际权威期刊和IEDM、ISPSD等著名国际会议发表论文200余篇，其中SCI检索150余篇；获授权美国专利、中国发明专利50余项；获国家和省部级教学/科研奖6项，获中国电子学会先进工作者荣誉称号、CASA第三代半导体“卓越创新青年“称号，兼任教育部高等学校电子信息类专业教学指导委员会委员等。

刘斯扬，东南大学教授，博士生导师，国家高层次青年人才、江苏省杰青。主要从事功率半导体器件设计及工艺技术研究，主持国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目12项。发表SCI论文103篇，IEDM、ISPSD等国际会议论文17篇，获美国专利6项、日本专利2项、中国发明专利45项。研究成果获国家技术发明二等奖(排名2)、江苏省科学技术一等奖(排名2)。